P/N + Descripción + Búsqueda de contenido
Número de pieza(s) : RM10Z RM10 RM10A RM10B RM2Z RM2 RM2A RM2B RM2C RO2Z
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
componentes Descripción : Rectifier Diodes
Número de pieza(s) : D1F60A
Shindengen
componentes Descripción : General Purpose Rectifiers 600V 1.2A
Número de pieza(s) : 1N60G-AA3-R 1N60G-T60-K 1N60G-T92-B 1N60G-T92-K 1N60G-TA3-T 1N60G-TF2-T 1N60G-TF3-T 1N60G-TM3-T 1N60G-TMS-T 1N60G-TN3-R
Unisonic Technologies
componentes Descripción : 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : 1N60P 1N60PG-T92-B 1N60PG-T92-K 1N60PG-T92-R 1N60PL-T92-B 1N60PL-T92-K 1N60PL-T92-R
Unisonic Technologies
componentes Descripción : 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : 1N60Z 1N60ZG-T92-B 1N60ZG-T92-K 1N60ZG-T92-R 1N60ZG-T92-T 1N60ZG-TN3-B 1N60ZG-TN3-K 1N60ZG-TN3-R 1N60ZG-TN3-T 1N60ZL-T92-B
Unisonic Technologies
componentes Descripción : 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : WFU1N60C
Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd
componentes Descripción : Silicon N-Channel MOSFET
Número de pieza(s) : MIC1426 MIC1426CM MIC1426CN MIC1427 MIC1427CM MIC1427CN MIC1428 MIC1428CM MIC1428CN
Micrel
componentes Descripción : Dual 1.2A-Peak Low-Side MOSFET Driver (Rev - 1997)
Número de pieza(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel POWER MOSFET (650V,12A)
Número de pieza(s) : 1N60-251
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
componentes Descripción : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
Número de pieza(s) : IRFY310
Semelab - > TT Electronics plc
componentes Descripción : N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package
Número de pieza(s) : IRFY310C
Semelab - > TT Electronics plc
componentes Descripción : N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package
Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NCHANNEL Enhancement Mode RF MOSFET
Número de pieza(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel POWER MOSFET (600V,12A)
Número de pieza(s) : PAL007E
Pioneer Electronics
componentes Descripción : Car Audio POWER Amplifier
Número de pieza(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
Número de pieza(s) : BUZ31
Comset Semiconductors
componentes Descripción : POWER MOS TRANSISTORS
Número de pieza(s) : IRFB1010 IRFBC40LC IRFBC40LCPBF IRFBG30PBF
International Rectifier
componentes Descripción : HEXFET POWER MOSFET(Vdss=600V/ Rds(on)=1.2ohm/ Id=6.2A)
Número de pieza(s) : ST890 ST890CD ST890CDR ST890BD ST890BDR
STMicroelectronics
componentes Descripción : 1.2A CURRENT LIMITED HIGH SIDE WITH THERMAL SHUTDOWN
Número de pieza(s) : FQB1N60 FQI1N60
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : 600V N-Channel MOSFET